安吉达是Nexperia代理(lǐ)之一,Nexperia是基础半导體(tǐ)元件领域的大容量生产专家,最近宣布推出一种用(yòng)于MOSFET器件的新(xīn)型增强電(diàn)热模型。半导體(tǐ)制造商(shāng)通常為(wèi)MOSFET提供仿真模型,但它们通常仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的新(xīn)高级型号在-55°C到175°C的整个工作温度范围内捕获了一系列完整的设备参数。
这些高级型号中增加了反向二极管恢复时间和電(diàn)磁兼容性(EMC),这大大提高了设备的整體(tǐ)精度。参数可(kě)以帮助工程师建立精确的電(diàn)路和系统级仿真,并在原型设计之前评估電(diàn)热和EMC性能(néng)。该模型还有(yǒu)助于节省时间和资源。工程师以前需要确保他(tā)们的设计能(néng)够在(不太可(kě)能(néng)的)最坏情况下工作,但现在可(kě)以在特定温度范围内模拟设计。
Nexperia与一流OEM合作开发了这些模型。目前,只有(yǒu)Nexperia能(néng)够满足其要求。“这些新(xīn)的先进電(diàn)热模型旨在為(wèi)设计师提供最可(kě)靠的電(diàn)路模拟结果,”Andy berry说,Nexperia application engineer“在双脉冲测试中,模型准确地预测了真实设备的行為(wèi),这证明它具有(yǒu)极高的准确性。我们的合作伙伴在初步反馈中表示,这些模型是他(tā)们见过的最精确的模型。”
随着Nexperia流行的交互式应用(yòng)程序说明的发布,这些高级電(diàn)热模型是我们的工程师团队為(wèi)大多(duō)数工程师朋友设计的一系列支持工具中的最新(xīn)版本,计划在未来几个月发布。这个支持外部活动的新(xīn)工具旨在為(wèi)Nexperia代理(lǐ)商(shāng)及客户提供尽可(kě)能(néng)无缝的设备设计。